“为国奋斗”

挂图简介

硅基晶圆表面热氧化2微米,然后通过LPCVD沉积百纳米级别高质量的氮化硅,通过EBL曝光,显影后,用RIE刻蚀出如此原创图标。寓意估计大家像孺子牛一样孜孜不倦推动科技发展,为国家乃至世界的和平稳定前行贡献出自己的力量。

图片尺寸:

文件格式:

来源:科普中国